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Infineon

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IPD25CN10N G

  • 型号:
  • IPD25CN10N G

类别:Infineon Technologies 分立半导体产品

商品库存:

商品品牌:Infineon Technologies

交货期: 7 天

  • 购买数量:
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制造商:

Infineon

产品种类:

MOSFET

商标:

Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:

35 A

Vds-漏源极击穿电压:

100 V

Rds On-漏源导通电阻:

25 mOhms

晶体管极性:

N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :

20 V

最大工作温度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

71 W

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

DPAK-3

封装:

Reel

通道模式:

Enhancement

配置:

Single

下降时间:

3 ns

最小工作温度:

- 55 C

上升时间:

4 ns

系列:

OptiMOS 2

工厂包装数量:

2500

商标名:

OptiMOS

典型关闭延迟时间:

13 ns

典型接通延迟时间:

10 ns

VendorNumber:

6383