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Infineon

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IPP037N08N3 G

  • 型号:
  • IPP037N08N3 G

类别:Infineon Technologies 分立半导体产品

商品库存:

商品品牌:Infineon Technologies

交货期: 7 天

  • 购买数量:
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制造商:

Infineon

产品种类:

MOSFET

 

商标:

Infineon Technologies

 

Id-连续漏极电流:

100 A

Vds-漏源极击穿电压:

80 V

Rds On-漏源导通电阻:

3.75 mOhms

晶体管极性:

N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :

20 V

最大工作温度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

214 W

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

封装:

Tube

通道模式:

Enhancement

 

配置:

Single

 

下降时间:

14 ns

 

最小工作温度:

- 55 C

 

上升时间:

79 ns

 

系列:

OptiMOS 3

 

工厂包装数量:

500

 

商标名:

OptiMOS

 

典型关闭延迟时间:

45 ns

 

典型接通延迟时间:

23 ns

 

VendorNumber:

6383